MOVPE Growth and Characterization of Low-Dimensional III-V Semiconductor Structures

Abstract: Popular Abstract in Swedish Med hjälp av tekniker för att deponera enkristallina material i ytterst tunna skikt kan lågdimensionella strukturer i exempelvis halvledarmaterial åstadkommas. Karakteristiskt för lågdimensionella strukturer är att tjockleken hos enskilda skikt ligger i samma storleksordning som elektronernas de-Broglie våglängd. Som en följd av detta kan tydliga kvantmekaniska fenomen påvisas i lågdimensionella strukturer. I avhandlingen beskrivs egenskaperna hos lågdimensionella strukturer i valda III-V halvledarmaterial, tillverkade med metallorganisk gasfasepitaxi. Många III-V halvledare har, på grund av materialets elektroniska egenskaper, förmåga att utsända ljus vid exempelvis optisk excitation. Genom fotoluminescens-spektroskopi kan därför kvantiseringsenergier i lågdimensionella strukturer bestämmas. I arbetet har också ingått att karakterisera ytstrukturer med hjälp av atomkraftsmikroskopi samt undersökningar av hur elektroner i lågdimensionella strukturer hos vissa typiska material uppför sig under påverkan av elektriska eller magnetiska fält.